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另一方面不断扩大硅片直径以减少芯片的离故度和降低成本。相应地，作为集成电路基础材料的硅单晶生产也在不断地提高其技术质量指标和增大单晶锭的直径和长度，以满足电路的要求和降低自身的生产成本。在国外市场上，硅晶体直径大致每4～5年增长1时（25．4mm），相应地，生产投料重也由1公斤逐渐发展为3～5公斤，8～12公斤，15～刘公斤和朋～6O公厅等几个等级。在这发展中，有两个条件是相辅相成。以提高集成度DL-78型单晶炉的热场和减压工艺\1前言集成电路生产的发展一方面不断缩小元件尺寸共同进步的减压工艺的设计与调整。

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单晶硅片由此进入生产流程：1、酸洗：使用稀HNO3,进行清洗，去除表面杂质及时产生的四硅。2、清洗：清洗硅料经过酸洗后的残留杂质。3、单晶硅料烘干：去除水分。4、挑料：区分P型，N型硅料。5、配料：对拉晶的硅料型号进行匹配。6、单晶炉拉晶：7、硅棒检测：检查有无位错，棱线断等现象。8、断：将单晶硅棒用带锯条切割成四方体。9、包装：将断后的单晶硅棒进行包装，送下一道工序10、磨圆：将单晶硅棒四个直角进行磨 DM设备进行切割0.33mm。12、清洗：13、单晶硅片检测：单晶炉的结构单晶炉炉体（包括板、主炉室、炉盖、隔离阀室、副炉室、籽晶提升旋转机构和坩埚提升旋转机构）由304L不锈钢。与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：